Este dispositivo se adapta perfectamente a aplicaciones de control de energía conmutada (gestión de consumo) y de conmutadores de circuitos de protección de batería (sobrecarga/descarga) en aparatos portátiles como notebooks.
Los MOSFETs de potencia canal P se utilizan como conmutadores de control de energía en dispositivos de información portátiles para mejorar la duración de la batería. Los recientes incrementos en el consumo de energía de la MPU significan que mayores corrientes fluyen en el MOSFET de alimentación, lo que hace deseable disminuir la resistencia en conducción para reducir las consiguientes pérdidas de energía.
El HAT1072H utiliza un proceso de difusión 0.3 mm para conseguir una densidad de celda mayor y estructura de celda optimizada para lograr menor resistencia. Además, el encapsulado LFPAK de montaje superficial (midiendo 5.3 mm x 6.2 mm x 1.1 mm (máximo) permite reducir la resistencia entorno al 40 % en comparación con el actual dispositivo HAT1048R de Hitachi. Es la resistencia más baja del mercado para un MOSFET de potencia canal P con voltaje de fuente de drenado de 30 V y tensi¢n de puerta de 4.5 V encapsulado en SOP-8 con la misma rea de montaje. Esto hace posible evitar el previsible incremento de p’rdidas asociado a una mayor corriente de carga. Adem s, el HAT1072H puede utilizarse en muchos casos donde se utilizaban dos dispositivos en paralelo, lo que permite reducir el tama_o del sistema.
