Los investigadores de Intel Corporation han logrado un avance tecnológico significativo al construir el transistor CMOS más pequeño y rápido del mundo. Este avance tecnológico permitirá a Intel en los próximos cinco a diez años construir microprocesadores que contienen más de 400 millones de transistores, funcionando a 10 gigahercios (10.000 millones de ciclos por segundo) y operando a menos de un voltio.
Los transistores disponen de estructuras de tan sólo 30 nanometros de tamaño y de tres capas de atomos de grosor. (Nota: un nanometro es una mil millonésima parte de un metro). Los transistores más pequeños son más rápidos y los transistores más rápidos son los módulos fundamentales de los microprocesadores rápidos, los cerebros de los ordenadores y de un número ilimitado de dispositivos inteligentes.
Estos nuevos transistores, que actúan como conmutadores que controlan el flujo de electrones dentro de un microprocesador, podrían realizar 400 millones de cálculos en un abrir y cerrar de ojos o finalizar dos millones de c lculos en el tiempo que tarda una bala en recorrer una pulgada.
Los cient¡ficos esperan que microprocesadores tan potentes permitan que aplicaciones populares en historias de ciencia ficci¢n – como la traducci¢n de voz instant nea en tiempo real – se conviertan en una realidad diaria.
Los investigadores de Intel Labs han desvelado los detalles de este avance tecnol¢gico en San Francisco en el International Electron Devices Meeting, la primera conferencia t’cnica para los ingenieros de semiconductores y cient¡ficos.
«Este avance tecnol¢gico permitir a Intel seguir incrementando las prestaciones y reducir el coste de los microprocesadores en el futuro,» dijo Dr. Sunlin Chou, Vicepresidente y Director General del Technology and Manufacturing Group de Intel. «A medida que nuestros investigadores se adentran en reas inexploradas m s all de los l¡mites anteriormente esperados del silicio, encuentran que la Ley de Moore sigue intacta.»
Los investigadores de Intel fueron capaces de construir transistores ultra peque_os al reducir de forma agresiva todas sus dimensiones. Los ¢xidos de puerta utilizados para construir estos transistores tienen un espesor de tan s¢lo tres capas de tomos. Se necesitar¡a apilar m s de 100.000 de estas puertas para alcanzar el espesor de una hoja de papel. Otro hecho significativo es que estos transistores experimentales, aon presentando capacidades que est n a generaciones por delante de las tecnolog¡as m s avanzadas utilizadas en la fabricaci¢n actual, se construyeron utilizando la misma estructura f¡sica que en los procesadores inform ticos actuales.
«Muchos expertos pensaban que hubiera sido imposible construir transistores CMOS tan peque_os a causa de problemas de p’rdidas el’ctricas,» dijo Dr. Gerald Marcyk, Director del Components Research Lab de Intel, Technology and Manufacturing Group. «Nuestra investigaci¢n prueba que estos transistores m s peque_os se comportan de la misma manera que los dispositivos actuales y demuestra que no existen barreras fundamentales para producir estos dispositivos en gran volumen en el futuro. La cosa m s importante sobre estos transistores de 30 nanometros es que son a la vez peque_os y r pidos y funcionan a bajo voltaje. T¡picamente se pueden conseguir dos de estas tres cosas, pero conseguir todas las facetas a la vez es un logro significativo.»
«Son descubrimientos de este tipo que me dan nimo para el futuro,» a_adi¢ Chou. «Hace falta una cosa para alcanzar un importante avance tecnol¢gico. Hace falta otra para conseguir una que sea pr ctica y cambie la vida de cada cual. Con el transistor de 30 nanometros de Intel, tenemos ambas cosas.»
Para m s informaci¢n sobre la Investigaci¢n en Tecnolog¡a de Silicio de Intel, visite el nuevo Silicon Showcase de Intel en www.intel.com/research/silicon.
Nomero Uno mundial del circuito integrado semiconductor, Intel tambi’n es fabricante de primera l¡nea de productos microinform ticos para las redes y las comunicaciones. Se encuentra m s informaci¢n sobre Intel disponible en Internet en la direcci¢n: http://www.intel.es y http://www.intel.com/pressroom.
