Los investigadores de los Laboratorios de Intel revelaron este adelanto ayer en Kyoto, Japón en la 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop, una conferencia para los ingenieros en semiconductores y científicos.
ôEsta investigación demuestra que Intel está lista en el campo de la nanotecnología utilizando silicio,ö dijo Dr. Gerald Marcyk, director del Components Research Lab del Technology and Manufacturing Group de Intel. ôNuestra investigación en transistores demuestra que podemos extender la Ley de Moore por al menos otras tres generaciones más allá de nuestras actuales tecnologías.ö
Muchos investigadores han especulado que la nanotecnología reemplazaría el silicio en el futuro, pero la investigación de Intel ilustra que el silicio y la nanotecnología son de hecho complementarios.
ôTodavía no hemos encontrado un límite fundamental para hacer transistores de silicio más pequeños,ö añadió Dr. Robert Chau, Intel Fellow y Director de Investigación en Transistores de Intel Logic Technology Development. «El ritmo del desarrollo del silicio se est acelerando en vez de ralentizarse.»
Los transistores de 20 nm, desarrollados por los investigadores de los Intel Labs, son un 30 por ciento m s peque_os y un 25 % m s r pidos que los transistores actuales m s r pidos de la industria, tambi’n desarrollados por los investigadores de Intel el a_o pasado. (Nota: un nan¢metro es una mil millon’sima parte de un metro). Los transistores m s peque_os son m s r pidos y los transistores r pidos son los elementos claves para los microprocesadores r pidos, los cerebros de los ordenadores y de otros muchos dispositivos inteligentes. Estos transistores ser n la base de la generaci¢n de proceso de 45 nan¢metros (0.045 micras) de Intel, que la compa_¡a prev’ tener en producci¢n por el a_o 2007.
Estos nuevos transistores, que actoan como conmutadores que controlan el flujo de electrones dentro de un microchip, encienden y apagan m s de un trill¢n de veces por segundo. Los microprocesadores creados con estos transistores podr¡an realizar cerca de mil millones de c lculos en un abrir y cerrar de ojos o finalizar cuatro millones de c lculos en el tiempo que necesita una bala para recorrer una pulgada.
Los investigadores de Intel pudieron construir estos transistores ultra peque_os al seguir reduciendo de forma agresiva sus dimensiones. Los ¢xidos de las puertas utilizados para construir estos transistores s¢lo tienen el espesor de tres capas at¢micas. Se necesitar¡a apilar m s de 100.000 de estas capas de ¢xido de puerta para alcanzar el espesor de una hoja de papel.
Otro dato significativo es que estos transistores experimentales, mientras disponen de capacidades que se encuentran a generaciones de las m s avanzadas tecnolog¡as que se utilizan hoy d¡a en la fabricaci¢n, fueron construidos utilizando la misma estructura f¡sica y materiales que se utilizan en los chips inform ticos actuales. Intel prev’ utilizar un tipo diferente de material de ¢xido de puerta cuando empiece la producci¢n de estos transistores.
Los Intel Labs, la unidad de investigaci¢n y desarrollo de Intel, disponen de m s de 6.000 investigadores y cient¡ficos repartidos en laboratorios de todo el mundo. Estos laboratorios est n estructurados de forma «descentralizada», con capacidades de investigaci¢n internas significativas complementadas con numerosos programas de investigaci¢n externos con universidades, laboratorios gubernamentales y consorcios industriales. Esta estructura es diferente de los laboratorios de investigaci¢n centralizados tradicionales y permite a Intel abordar una mayor gama de proyectos de investigaci¢n. Los laboratorios est n estrechamente alineados con las unidades de negocio de Intel, lo que ayuda a los Intel Labs a desarrollar tecnolog¡as que satisfacen las necesidades de los clientes de Intel y de los usuarios finales.
