Utilizando un proceso CMOS de 0.18 m y técnicas de diseño de circuitos especiales, la nueva serie ofrece operación a alta velocidad y bajo voltaje. La corriente operativa de 30 mA (máximo) a 55 ns y la corriente de retención de datos de 25 A (máximo) permite también asegurar la permanencia de los datos durante largos periodos de tiempo en backup de batería en dispositivos portátiles. Además de proporcionar un tiempo de acceso de lectura/escritura de datos de alta velocidad y la buena retención de datos citada, las SRAMs de bajo consumo y alta densidad permiten simplificar el diseño del sistema ya que las operaciones de refresco no son necesarias.
Junto con su tiempo de acceso rápido (55 ns) y amplia gama de temperatura de operación (-40¦C a +85¦C), esta serie incluye diferentes combinaciones de grado de corriente (versión L de bajo consumo o versión SL de consumo súper bajo) y encapsulados (TSOP-II 44 o CSP 48) para satisfacer una gran variedad de necesidades desde aplicaciones industriales hasta aplicaciones de consumo port tiles.
Ya est n disponibles muestras y la producci¢n masiva empezar de inmediato.
